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SITO vs DITO : différences de structure dans les écrans tactiles

Vues : 5     Auteur : Éditeur du site Heure de publication : 2026-01-20 Origine : Site

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SITO vs DITO : différences de structure dans les écrans tactiles

Dans les écrans tactiles capacitifs industriels, la structure du capteur affecte directement les performances optiques, la qualité du signal, le rendement de fabrication et la fiabilité.

Parmi les architectures courantes, SITO (Single ITO) et DITO (Double ITO) représentent deux stratégies de routage différentes.
Bien que les deux soient basés sur le même principe de détection capacitive, leur structure de couche interne et leur complexité de fabrication sont fondamentalement différentes.

Cet article examine les  différences structurelles et au niveau des processus entre SITO et DITO , ainsi que l'impact de ces différences sur les performances et la sélection des applications.

Structure de base des capteurs tactiles capacitifs

Un capteur tactile capacitif se compose d'électrodes d'axe X et d'axe Y constituées d'un matériau conducteur transparent, généralement de l'ITO.

Le contrôleur détecte le toucher en mesurant les changements de capacité aux intersections de ces électrodes.

La question structurelle clé est la suivante :

Les électrodes X et Y sont-elles posées sur une seule couche conductrice ou sur deux couches distinctes ?

Ceci définit la différence entre SITO et DITO.

Définition : SITO et DITO

  • SITO (Single ITO)
    Les électrodes X et Y sont fabriquées sur une seule couche d'ITO.

  • DITO (Double ITO) X et Y sont fabriquées sur
    Les électrodes deux couches ITO distinctes , séparées par une couche isolante.

Le principe de détection est identique.
Seules la topologie de routage et la méthode d'isolation sont différentes.

Topologie de routage : simple face ou double face

Routage SITO

Dans SITO, les lignes X et Y doivent se croiser sur la même surface.

Le franchissement direct n'est pas autorisé, c'est pourquoi une structure de pont isolée est requise à chaque point de passage.
Ceci est mis en œuvre par le processus OG (Over Glass).

A chaque croisement :

  • Une ligne est isolée

  • L'autre ligne le traverse

Cela permet le routage d'un seul côté, mais introduit :

  • Étapes de processus supplémentaires

  • Exigences d'alignement strictes

  • Discontinuités d'impédance locales

Routage DITO

Dans DITO, les électrodes X et Y sont placées sur des couches différentes.

Les croisements de lignes sont naturellement isolés par la couche isolante.
Aucune structure de pont n’est requise.

Cela se traduit par :

  • Un routage plus simple

  • Moins d’étapes de processus critiques

  • Topologie électrique plus uniforme

Complexité de fabrication

La principale différence de processus apparaît dans SITO.

Un flux de processus SITO simplifié comprend :

  • Inspection du verre

  • Premier dépôt et modelage d'ITO

  • Formation de ponts OG par photolithographie

  • Deuxième dépôt et structuration d'ITO

  • Isolation et protection finale

Le processus OG est la principale barrière technique.

Cela nécessite :

  • Photolithographie de haute précision

  • Salle blanche à lumière jaune

  • Contrôle strict des défauts

Tout défaut dans la zone du pont peut provoquer une rupture de ligne ou un court-circuit.

DITO évite cette complexité :

  • Pas de processus de pont

  • Moins d'étapes de lithographie

  • Tolérance plus élevée aux erreurs d’alignement

En conséquence, DITO atteint généralement un rendement plus élevé et une meilleure stabilité du processus..

Impact sur les performances optiques et électriques

Performances optiques

SITO supprime une couche conductrice dans la zone active.

Cela conduit à :

  • Transmission plus élevée

  • Réflexion inférieure

  • Luminosité de l'écran légèrement plus élevée

DITO possède une couche conductrice supplémentaire, qui introduit :

  • Réflexion légèrement plus élevée

  • Transmission légèrement inférieure

La différence est généralement de l'ordre de 3 à 8 %.

Performances électriques

Le routage SITO comprend :

  • Structures de pont

  • Variation d'impédance locale

  • Des chemins de signaux plus complexes

Cela nécessite un contrôle et un réglage plus stricts des processus.

DITO propose :

  • Impédance de ligne plus uniforme

  • Meilleure cohérence du signal

  • Marge de bruit plus élevée

Pour les panneaux de grande taille et les environnements EMI difficiles, DITO est généralement plus robuste.

Rendement, coût et risque de fabrication

Du point de vue de la production :

SITO

  • Plusieurs étapes critiques de lithographie

  • Structure de pont sensible

  • Rendement inférieur

  • Coût unitaire plus élevé

  • Risque de fabrication plus élevé

DITO

  • Processus plus simple

  • Rendement plus élevé

  • Meilleure stabilité à long terme

  • Coût inférieur

  • Risque de fabrication réduit

C'est la principale raison pour laquelle DITO est préféré pour la production de masse et les projets sensibles aux coûts..

Sélection d'application typique

SITO est généralement utilisé lorsque le projet priorise :

Champs typiques :

DITO est généralement utilisé lorsque le projet priorise :

  • Rendement et stabilité

  • Contrôle des coûts

  • Grande taille

  • Fiabilité à long terme

Champs typiques :

Conclusion

SITO et DITO diffèrent principalement par la topologie de routage et la complexité de fabrication.

  • SITO offre de meilleures performances optiques et une structure plus fine, au prix d'une complexité de processus plus élevée et d'un rendement inférieur.

  • DITO offre une structure plus simple et une plus grande stabilité de fabrication, au prix de performances optiques légèrement inférieures.

Le choix entre SITO et DITO doivent être basés sur les exigences de l'application, les risques de fabrication et les contraintes de coûts , plutôt que sur un seul paramètre de performance.

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